{"product_id":"ieej-efm05033","title":"ITOチャネルを用いた強誘電体ゲート膜トランジスタ","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEFM05033\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2005\/06\/03\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eFerroelectric-Gate Thin Film Transistors Using ITO Channel\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e徳光 永輔(東京工業大学),妹尾 賢(東京工業大学),宮迫 毅明(東京工業大学),藩 悦(東京工業大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eEisuke,Tokumitsu|Masaru,Senoo|Takaaki,Miyasako|Etsu,Shin\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e薄膜トランジスタ|不揮発性メモリ|強誘電体ゲートトランジスタ|IT\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e867 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 9","offer_id":46361654690031,"sku":"IEEJ-EFM05033-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_6990660f-85a5-4075-aa70-503929a9f824.png?v=1743609975","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-efm05033","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}