{"product_id":"ieej-efm06003","title":"極薄HfSiONゲート絶縁膜の絶縁破壊時間の決定","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEFM06003\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2006\/06\/28\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eDetermination of Time to Breakdown of 0.8-1.2 nm EOT HfSiON Gate Dielectrics with Poly-Si and Metal Gate Electrodes\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e犬宮 誠治(半導体先端テクノロジーズ),奈良 安雄(半導体先端テクノロジーズ)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eSeiji Inumiya(Semiconductor Leading Edge Technologies,Inc.),Yasuo Nara(Semiconductor Leading Edge Technologies,Inc.)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e変化ハフニウムシリケイト|高誘電率|絶縁破壊|キャリアセパレーション\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e800 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 7","offer_id":46361747914991,"sku":"IEEJ-EFM06003-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_0692d1c2-36e7-48fc-94be-7b781c933fc6.png?v=1743613456","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-efm06003","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}