{"product_id":"ieej-efm06004","title":"高窒素濃度SiON膜のNBTI特性とその窒素起因の劣化メカニズム","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEFM06004\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2006\/06\/28\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eNitrogen-Originated NBTI Mechanism in SiON with High-Nitrogen Concentration.\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e佐久間 究(東芝),松下 大介(東芝),中崎 靖(東芝),加藤弘一 (東芝),村岡 浩一(東芝),三谷 祐一郎(東芝)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eKiwamu Sakuma(Toshiba Corporation),Daisuke Matsushita(Toshiba Corporation),Yasushi Nakasaki(Toshiba Corporation),Koichi Kato(Toshiba Corporation),Koichi Muraoka(Toshiba Corporation),Yuuichiro Mitani(Toshiba Corporation)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e負バイアス温度不安定性|閾値電圧シフト|酸窒化膜|高窒素濃度|フラットバンド電圧シフト|信頼性\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e922 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 8","offer_id":46361748242671,"sku":"IEEJ-EFM06004-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_c3b17b0d-87ca-4b19-97ae-c2c6b8910d47.png?v=1743613459","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-efm06004","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}