{"product_id":"ieej-efm06005","title":"高誘電体ゲート絶縁膜\/Si基板界面改質によるトランジスタ特性と絶縁膜長期信頼性の改善","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEFM06005\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2006\/06\/28\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eImprovement of Transistor Performance and Insulator Reliability by Robust high-k\/IL\/Si Structure with High Temperature Wet Treatment after HfON Deposition\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e佐竹 秀喜(半導体MIRAIプロジェクト-ASET,現 東芝),岩本 邦彦(半導体MIRAIプロジェクト-ASET),高橋 正志(半導体MIRAIプロジェクト-ASET),門島勝(半導体MIRAIプロジェクト-ASET,現 Selete),太田裕之(半導体MIRAIプロジェクト-ASRC,AIST),小川有人(半導体MIRAIプロジェクト-ASET),育田目俊秀(半導体MIRAIプロジェクト-ASET),鳥海明(半導体MIRAIプロジェクト-ASRC,AIST,東京大学院)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eHideki Satake|Kunihiko Iwamoto|Masashi Takahashi|Hiroyuki Ota|Arito Ogawa|Toshihide Nabatame|Akira Toriumi\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e高誘電率ゲート絶縁膜|界面層|高温ウェット酸化|ゲートリーク電流|信頼性\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e538 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 6","offer_id":46361748865263,"sku":"IEEJ-EFM06005-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_b10ee7f7-479a-4e97-bf5c-999778dde49f.png?v=1743613469","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-efm06005","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}