{"product_id":"ieej-efm06006","title":"アモルファスZrシリケートゲート絶縁膜を用いたGe p-MOSFETの正孔移動度","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEFM06006\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2006\/06\/28\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eEffective hole mobility for Ge p-MOSFET with amorphous Zr silicate gate insulator\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e鎌田 善己(東芝),井野 恒弘(東芝),上牟田 雄一(東芝),飯島 良介(東芝),小山 正人(東芝),西山 彰(東芝)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eYoshiki Kamata(Toshiba Corporation),Tsunehiro Ino(Toshiba Corporation),Yuuichi Kamimuta(Toshiba Corporation),Ryosuke Iijima(Toshiba Corporation),Masato Koyama(Toshiba Corporation),Akira Nishiyama(Toshiba Corporation)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eGe 基板|高誘電体膜|ジルコニア|ジルコニウムシリケート|Ge拡散|アモルファス|界面\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e999 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 7","offer_id":46361748930799,"sku":"IEEJ-EFM06006-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_593ceb51-3df5-4702-96bb-ab821866740a.png?v=1743613472","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-efm06006","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}