{"product_id":"ieej-efm06007","title":"SNDMによるFlash Memoryの蓄積電荷の視覚化","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEFM06007\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2006\/06\/28\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eVisualization using scanning nonlinear dielectric microscopy of electrons and holes localized in the thin gate film of a metal-SiO2-Si3N4-SiO2-semiconductor flash memory\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e本多 耕一郎(㈱富士通研究所),長 康雄(東北大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eKoichiro HONDA(Fujitsu Laboratories Ltd.),Yasuo CHO(Tohoku University)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e非線形誘電率顕微鏡|Flashメモリ|MONOS|蓄電荷\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e861 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 6","offer_id":46361749094639,"sku":"IEEJ-EFM06007-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_5cadbe73-da0a-44e3-80db-f562aa74b92d.png?v=1743613476","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-efm06007","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}