{"product_id":"ieej-efm06015","title":"SiGe\/SiヘテロMOSFETにおけるヘテロ界面のホットキャリア局所劣化","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEFM06015\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2006\/10\/03\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eHot-Carrier-Degradation of Hetero-Interface in SiGe\/Si-Hetero-MOSFETs\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e土屋 敏章(島根大学総合理工学部),櫻庭 政夫(東北大学電気通信研究所),室田 淳一(東北大学電気通信研究所)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eToshiaki Tsuchiya(Shimane University),Masao Sakuraba(Tohoku University),Junichi Murota(Tohoku University)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eSiGe| MOSFET| ホットキャリア|チャージポンピング|ヘテロ界面準位|信頼性\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e952 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 9","offer_id":46361750012143,"sku":"IEEJ-EFM06015-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_3abd7cbd-0710-445c-afad-b4bba66ca8f3.png?v=1743613515","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-efm06015","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}