{"product_id":"ieej-efm06016","title":"SiGeC HBTの真性及び外部ベースのプロセス設計","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEFM06016\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2006\/10\/03\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eDesign of Intrinsic and Extrinsic Base Process of SiGeC HBT\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e清田 幸弘(ソニー),山縣 秀夫(そにーせみこんだくた九州)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eYukihiro Kiyota(SONY),Hideo Yamagata  Semiconductor Kyusyu (SONY Semiconductor Kyusyu)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eブランケットSiGeCエピタキシャル成長|ヘテロ接合バイポーラトランジスタ|真性ベース|外部ベース\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e726 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 7","offer_id":46361750044911,"sku":"IEEJ-EFM06016-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_2ce56df1-49e3-455d-9855-e9803ab395f2.png?v=1743613518","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-efm06016","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}