{"product_id":"ieej-efm06017","title":"スピントロニクス用強磁性シリサイド(Fe3Si)\/SiGeの低温形成","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEFM06017\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2006\/10\/03\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eLow Temperature Epitaxy of Fe3Si\/SiGe for Spintronics\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e佐道泰造 (九州大学),上田 公二(九州大学),熊野 守(九州大学),宮尾 正信(九州大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eTaizoh Sadoh(Kyushu University),Koji Ueda(Kyushu University),Mamoru Kumano(Kyushu University),Masanobu MIYAO(Kyushu University)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eシリサイド強磁性体|Fe3Si|分子ビームエピタキシー法\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e849 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 7","offer_id":46361750241519,"sku":"IEEJ-EFM06017-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_b32a11e1-7f3f-41db-9a34-811bc419a5f7.png?v=1743613521","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-efm06017","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}