{"product_id":"ieej-efm06019","title":"仮想Ge基板上におけるGe1-xSnxバッファ層の歪および転位構造制御","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEFM06019\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2006\/10\/03\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eControl of strain and dislocation structures in Ge1-x-Snx buffer layers on virtual Ge substrates\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e竹内 正太郎(名古屋大学),酒井 朗(名古屋大学),中塚 理(名古屋大学),小川 正毅(名古屋大学),財満鎭明 (名古屋大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eShotaro Takeuchi(Nagoya University),Akira Sakai(Nagoya University),Osamu Nakatsuka(Nagoya University),Masaki Ogawa(Nagoya University),Shigeaki Zaima(Nagoya University)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eゲルマニウムスズ|転位|歪緩和\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e1,691 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 9","offer_id":46361750339823,"sku":"IEEJ-EFM06019-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_f747c183-3a90-407e-b2e3-6f3486046f30.png?v=1743613528","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-efm06019","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}