{"product_id":"ieej-efm06023","title":"ECRプラズマCVDによるIV族半導体エピタキシャル成長","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEFM06023\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2006\/10\/03\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eEpitaxial Growth of Group IV Semiconductor in ECR Plasma Enhanced CVD\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e櫻庭 政夫(東北大学),武藤大祐 (東北大学),森 聖樹(東北大学),菅原 勝俊(東北大学),室田 淳一(東北大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eMasao Sakuraba(Tohoku University),Daisuke Muto(Tohoku University),Masaki Mori(Tohoku University),Katsutoshi Sugawara(Tohoku University),Junichi Murota(Tohoku University)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eSi|Ge| エピタキシャル成長|プラズマ化学気相成長|SiH4|Si(100)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e924 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 8","offer_id":46361752436975,"sku":"IEEJ-EFM06023-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_0860d38b-daf4-4146-831a-7a6d14e2047d.png?v=1743613552","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-efm06023","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}