{"product_id":"ieej-efm06026","title":"高耐圧 GaN-HEMT における電流コラプスのフィールドプレート構造依存性","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEFM06026\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2006\/11\/28\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eDependence of the Field-Plate Structure for Current Collapse Phenomena in High-Voltage GaN-HEMTs\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e斎藤 渉(東芝),蔵口 雅彦(東芝),高田 賢治(東芝),津田 邦男(東芝),斎藤 泰伸(東芝),野田 隆夫(東芝),大村一郎 (東芝),山口 正一(東芝)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eWataru Saito(Toshiba),Masahiko Kuraguchi(Toshiba),Yoshiharu Takada(Toshiba),Kunio Tsuda(Toshiba),Yasunobu Saito(Toshiba),Takao Noda(Toshiba),Ichiro Omura(Toshiba),Masakazu Yamaguchi(Toshiba)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eGaN-HEMT| 高耐圧| パワー半導体デバイス\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e681 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 7","offer_id":46361753092335,"sku":"IEEJ-EFM06026-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_99e34d84-44f6-4731-9e17-8410ba34437b.png?v=1743613562","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-efm06026","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}