{"product_id":"ieej-efm06028","title":"セルフアラインプロセスにより作製したGaN 系縦型トランジスタ","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEFM06028\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2006\/11\/28\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eGaN-based Vertical Field Effect Transistors Fabricated Using Self-aligned Process\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e森田 竜夫(松下電器産業(株) 半導体社),中津 敏志(松下電器産業(株) 半導体社),上田 哲三(松下電器産業(株) 半導体社),田中 毅(松下電器産業(株) 半導体社)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eTatsuo Morita(Matasushita Electric Industorial Co.,Ltd. Semiconductor Company),Satoshi Nakazawa(Matasushita Electric Industorial Co.,Ltd. Semiconductor Company),Tetsuzo Ueda(Matasushita Electric Industorial Co.,Ltd. Semiconductor Company),Tsuyoshi Tanaka(Matasushita Electric Industorial Co.,Ltd. Semiconductor Company)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eGaN| lnAlGaN| 縦型| 電界効果トランジス夕| セルフアライン| 電流コラプス\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e700 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 7","offer_id":46361753387247,"sku":"IEEJ-EFM06028-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_cdcf5b58-10c0-4851-b0e3-26b427b150cd.png?v=1743613569","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-efm06028","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}