{"product_id":"ieej-efm07012","title":"ITOチャネル強誘電体ゲートFETの特性改善","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEFM07012\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2007\/07\/10\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eImprovement of electrical properties of ITO-channel ferroelectric-gate FETs\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e徳光 永輔(東京工業大学),藤村 朋史(東京工業大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eEisuke Tokumitsu(Tokyo Institute of Technology),Tomofumi Fujimura(Tokyo Institute of Technology)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e強誘電体|不揮発性メモリ|強誘電体ゲートFET|薄膜トランジスタ|酸化物半導体|(Bi|La)4Ti3O12(BLT)|ITO|ferroelectric material|nonvolatile memory|ferroelectric-gate FET|thin film transistor|oxide semiconductor|(Bi|La)4Ti3O12(BLT)|ITO\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e456 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 8","offer_id":46361937477871,"sku":"IEEJ-EFM07012-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_c8c8a444-5245-4f44-aaf3-9217628a26d3.png?v=1743616349","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-efm07012","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}