{"product_id":"ieej-efm07021","title":"縦型GaNパワーデバイスの開発","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEFM07021\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2007\/11\/30\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eDevelopment of a Vertical GaN Power Device\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e兼近 将一(豊田中央研究所),副島 成雅(豊田中央研究所),上田 博之(豊田中央研究所),石黒 修(豊田中央研究所),樹神雅人 (豊田中央研究所),林 栄子(豊田中央研究所),伊藤 健治(豊田中央研究所),上杉 勉(豊田中央研究所),加地徹 (豊田中央研究所),杉本 雅裕(トヨタ自動車)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eMasakazu Kanechika(TOYOTA Central R\u0026amp;D Labs.),Narumasa Soejima(TOYOTA Central R\u0026amp;D Labs.),Hiroyuki Ueda(TOYOTA Central R\u0026amp;D Labs.),Osamu Ishiguro(TOYOTA Central R\u0026amp;D Labs.),Masahito Kodama(TOYOTA Central R\u0026amp;D Labs.),Eiko Hayashi(TOYOTA Central R\u0026amp;D Labs.),Kenji Itoh(TOYOTA Central R\u0026amp;D Labs.),Tsutomu Uesugi(TOYOTA Central R\u0026amp;D Labs.),Tetsu Kachi(TOYOTA Central R\u0026amp;D Labs.),Masahiro Sugimoto \\n (TOYOTA Motor Corp)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e窒化ガリウム|GaN|絶縁ゲート|AlGaN\/GaN|ヘテロ接合|縦型|電界効果トランジスタ\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e自立GaN基板を用いて，絶縁ゲート型の縦型GaNデバイスを作製した。GaN基板上にiGaN\/AlN\/p-GaN\/n-GaNをMOCVDでエピした。縦方向電流経路（アパーチャ）はSiO2マスクでi-GaN\/AlN\/p-GaNをドライエッチングし，マスク除去後，マスクレスでAlGaN\/n-GaNを再成長した。ゲート絶縁膜には50nmの膜厚のCVDで成膜したSiO2を用いた。測定の結果，しきい値電圧1V，オン抵抗50mΩcm2が得られた。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(英語): \u003c\/strong\u003eWe fabricated a vertical GaN-based insulated gate heterojunction field effect transistor (HFET), using a free-standing GaN substrate.  i-GaN\/AlN\/p-GaN\/n-GaN was grown on an n-GaN substrate by MOCVD. The vertical current aperture was formed by dry-etching \u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e316 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 6","offer_id":46361953370351,"sku":"IEEJ-EFM07021-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_8146d81a-e578-4b91-ac70-bf44b9d2419b.png?v=1743616566","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-efm07021","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}