{"product_id":"ieej-efm08001","title":"Ru-Mo合金を用いた金属／high-k絶縁膜ゲートスタックの実効仕事関数制御","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEFM08001\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2008\/05\/14\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eWide Controllability of Flatband Voltage in metal\/high-k gate stack using Ru-Mo alloys\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e大毛利健治 (早稲田大学／物質・材料研究機構),知京豊裕 (物質・材料研究機構),細井 卓治(大阪大学),渡部 平司(大阪大学),中島 清美(物質・材料研究機構),足立 哲也(物質・材料研究機構),石川 恵子(物質・材料研究機構),杉田 義博(半導体先端テクノロジーズ),奈良 安雄(半導体先端テクノロジーズ),大路譲 (半導体先端テクノロジーズ),白石 賢二(筑波大学),山部 紀久夫(筑波大学),山田 啓作(早)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eK.,Ohmori|T.,Chikyow|T.,Hosoi|H.,Watanabe|K.,Nakajima|T.,Adachi|A.,Ishikawa|Y.,Sugita|Y.,Nara|Y.,Ohji|K.,Shiraishi|K.,Yamabe|K.,Yamada\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e仕事関数|金属電極|high-k絶縁膜|ゲートスタック|コンビナトリアル手法|work function|metal electrodes|high-k dielectric films|gate stack|combinatorial method\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e932 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 7","offer_id":46362104594671,"sku":"IEEJ-EFM08001-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_59b04297-6133-4663-92ab-3e260e85f051.png?v=1743620069","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-efm08001","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}