{"product_id":"ieej-efm08004","title":"Ge表面酸化および窒化処理とHigh-kゲートスタック構造形成プロセス","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEFM08004\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2008\/05\/14\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eOxidation and radical nitridation processes of Ge surfaces and fabrication of High-k\/Ge stack structures\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e近藤博基 (名古屋大学),坂下 満男(名古屋大学),中塚 理(名古屋大学),小川 正毅(名古屋大学),財満鎭明 (名古屋大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eHiroki Kondo(Nagoya University),Mitsuo Sakashita(Nagoya University),Osamu Nakatsuka(Nagoya University),Masaki Ogawa(Nagoya University),Shigeaki Zaima(Nagoya University)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eGe(001)|酸化|ラジカル窒化|High-kゲート絶縁膜|X線光電子分光|走査トンネル顕微鏡|Ge(001)|Oxidation|Radical nitridation|High-k gate dielectric|X-ray photoelectron spectroscopy|Scanning tunneling microscopy\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e1,945 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 9","offer_id":46362105020655,"sku":"IEEJ-EFM08004-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_b82baba1-c890-4d3d-8429-6bda3fc5bce5.png?v=1743620114","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-efm08004","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}