{"product_id":"ieej-efm08005","title":"Si原子層により終端されたGe MIS界面特性とその反転層正孔移動度への影響","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEFM08005\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2008\/05\/14\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eEffects of Si Passivation on Ge Metal-Insulator-Semiconductor Interface Properties and Inversion-layer Hole Mobility\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e田岡 紀之(半導体MIRAI-ASRC),原田 真臣(半導体MIRAI-ASET),山下 良美(半導体MIRAI-ASET),山本 豊二(半導体MIRAI-ASET),杉山 直治(半導体MIRAI-ASET),高木信一東京大学 (東京大学,半導体MIRAI-ASRC)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eNoriyuki Taoka(MIRAI-ASRC),Masatomi Harada(MIRAI-ASET),Yoshimi Yamashita(MIRAI-ASET),Toyoji Yamamoto(MIRAI-ASET),Naoharu Sugiyama(MIRAI-ASET),Shin-ichi TakagiThe University of Tokyo (The University of Tokyo,MIRAI-ASRC)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eゲルマニウム|Ge MIS|界面準位|固定電荷|Siパッシベーション|反転層正孔移動度|Germanium|Ge MIS|interface trap|fixed oxide charge|Si passivation|inversion-layer hole mobility\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e704 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 8","offer_id":46362105053423,"sku":"IEEJ-EFM08005-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_368a4a27-85aa-461d-829e-7faf686b6fc9.png?v=1743620117","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-efm08005","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}