{"product_id":"ieej-efm08021","title":"超臨界流体を用いたCu薄膜堆積～成膜特性検討と貫通電極プロセスへの適用の試み","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEFM08021\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2008\/05\/19\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eCU FILM DEPOSITION FROM SUPERCRITICAL CARBON DIOXIDE FLUIDS FOR 3D-IC THRU VIA FORMATION\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e松原 正弘(山梨大学),近藤英一 (山梨大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eMasahiro Matsubara(University of Yamanashi),Eiichi Kondoh(University of Yamanashi)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e超臨界流体|Cu配線|貫通電極|TSV|supercritical fluids|copper interconnect|through-silicon-via\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e658 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 6","offer_id":46362102202607,"sku":"IEEJ-EFM08021-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_54e9f30e-a70d-470e-93d7-460e54874354.png?v=1743619927","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-efm08021","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}