{"product_id":"ieej-efm08024","title":"SiGe\/SiヘテロチャネルMOSFETにおける過渡チャージポンピング特性","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEFM08024\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2008\/09\/27\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eTransient Charge-Pumping Characteristics in SiGe\/Si-Hetero-Channel MOSFETs\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e土屋 敏章(島根大学),櫻庭 政夫(東北大学),室田 淳一(東北大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eToshiaki Tsuchiya(Shimane University),Masao Sakuraba(Tohoku University),Junichi Murota(Tohoku University)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eMOS|ヘテロ構造|SiGe|シリコン|チャージポンピング|界面準位|MOS|hetero structure|SiGe|Si|charge pumping|interface trap\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e535 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 8","offer_id":46362101940463,"sku":"IEEJ-EFM08024-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_c1496271-5e91-4881-afb8-fb902cab0a26.png?v=1743619909","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-efm08024","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}