{"product_id":"ieej-efm08025","title":"高制御Si\/SiGeエピタキシャル成長による超低消費電力SiGe HBTの実現","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEFM08025\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2008\/09\/27\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eUltra-low-power SiGe HBT Technology with Precisely Controlled Si\/SiGe Epitaxial Growth\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e三浦 真(日立製作所),小田 克矢(日立製作所),島本 裕巳(ルネサス北日本セミコンダクタ),鷲尾 勝由(日立製作所)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eMakoto Miura(Hitachi,Ltd.),Katsuya Oda(Hitachi,Ltd.),Hiromi Shimamoto(Renesas Northern Japan Semiconductor. Inc.),Katsuyoshi Washio(Hitachi,Ltd.)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e超低消費電力SiGe HBT|エピタキシャル成長エミッタ|エミッタ\/ベース接合容量|コレクタ電流密度|遮断周波数|ultra-low-power SiGe HBT|epitaxially grown emitter|emitter-base junction capacitance|collector current density|cut-off frequency\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e571 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 8","offer_id":46362102005999,"sku":"IEEJ-EFM08025-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_111a24f9-f6d1-4f07-8840-a7b1a2739d20.png?v=1743619914","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-efm08025","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}