{"product_id":"ieej-efm08028","title":"Ge1-xSnxバッファ層上への伸張歪Ge層形成と歪・転位構造制御","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEFM08028\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2008\/09\/27\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eFormation of Tensile-Strained Ge Layers on Ge1-xSnx Buffer Layers and Control of Strain and Dislocation Structures\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e中塚 理(名古屋大学),志村 洋介(名古屋大学),財満鎭明 (名古屋大学),酒井 朗(大阪大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eOsamu Nakatsuka(Nagoya University),Yosuke Shimura(Nagoya University),Shigeaki Zaima(Nagoya University),Akira Sakai(Osaka University)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eゲルマニウム|錫|シリコン|エピタキシャル成長|歪|転位構造|Germanium|tin|silicon|epitaxial growth|strain|dislocation structure\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e982 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 8","offer_id":46362104758511,"sku":"IEEJ-EFM08028-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_b8e3ac8f-017c-45e0-88fa-f55c1469f471.png?v=1743620094","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-efm08028","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}