{"product_id":"ieej-efm08030","title":"真空一貫原子制御PVDプロセスによるTiO2\/HfSiO\/SiO2積層構造High-k絶縁膜の作製と電気特性評価","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEFM08030\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2008\/09\/27\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eFabrication of Advanced TiO2\/HfSiO\/SiO2 Layered Higher-k Dielectrics by Atomically Controlled In-situ PVD-Based Method\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e渡部 平司(大阪大学),有村 拓晃(大阪大学),奥 雄大(大阪大学),細井 卓治(大阪大学),志村 考功(大阪大学),北野 尚武(大阪大学,キヤノンアネルバ),内藤裕一(産業技術総合研究所),山口述夫(キヤノンアネルバ),小須田求(キヤノンアネルバ)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eHeiji Watanabe|Hiroaki Arimura|Yudai Oku|Takuji Hosoi|Takayoshi Shimura|Naomu Kitano|Yuichi Naitou|Nobuo Yamaguchi|Motomu Kosuda\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e高誘電率ゲート絶縁膜|メタル電極|真空一貫プロセス|界面固相反応|界面電気特性|High-k gate dielectric|metal electrode|in-situ process|solid phase interface reaction|interface property\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e783 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 7","offer_id":46362056327407,"sku":"IEEJ-EFM08030-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_1ab08815-95b2-4e52-887c-9d536979810d.png?v=1743618024","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-efm08030","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}