{"product_id":"ieej-efm08032","title":"グラフェン形成のためのSi(110)基板上3C-SiC(111)成長","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEFM08032\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2008\/09\/27\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eGrowth of 3C-SiC(111) on Si(110) substrate for graphene formation\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e末光 眞希(CREST,東北大学),宮本 優(東北大学),半田 浩之(東北大学),今野 篤史(東北大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eMaki Suemitsu(CREST,Tohoku University),Yu Miyamoto(Tohoku University),Hiroyuki Handa(Tohoku University),Atsushi Konno(Tohoku University)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e炭化ケイ素|ヘテロエピタキシ|有機シラン|ガスソースMBE|グラフェン|silicon carbide|heteroepitaxy|organosilane|gas-source MBE|graphene\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e456 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 7","offer_id":46362058850543,"sku":"IEEJ-EFM08032-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_b9647b99-2041-48b2-a6c9-5310cc4e07a7.png?v=1743618059","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-efm08032","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}