{"product_id":"ieej-efm08033","title":"Si1-xGexエピタキシー技術と低次元デバイスへの応用","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEFM08033\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2008\/09\/27\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eSi1-xGex Epitaxy Techniques and Their Application to Low Dimensional Devices\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e須田 良幸(東京農工大学),花房 宏明(東京農工大学),大窪 隆文(東京農工大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eYoshiyuki Suda(Tokyo University of Agriculture \u0026amp; Technology),Hiroaki Hanafusa(Tokyo University of Agriculture \u0026amp; Technology),Takafumi Okubo(Tokyo University of Agriculture \u0026amp; Technology)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eシリコン|ゲルマニウム|エピタキシー|歪緩和|共鳴トンネルダイオード|スパッタ|不整合転位|貫通転位|クロスハッチ|歪率|Silicon|Germanium|epitaxy|strain relaxation|resonant tunnel diode|sputter|misfit dislocation|threading dislocation|cross hatch|strain rate\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e607 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 7","offer_id":46362059604207,"sku":"IEEJ-EFM08033-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_6b362bc6-888f-4e19-9281-40e66d68f072.png?v=1743618066","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-efm08033","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}