{"product_id":"ieej-efm08034","title":"ナノメートルオーダ歪SiGe\/Si(100)ヘテロ構造によるホール共鳴トンネルダイオードの製作と高性能化","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEFM08034\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2008\/09\/27\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eFabrication of Hole Resonant Tunneling Diodes Utilizing Nanometer-Order Strained SiGe\/Si(100) Heterostructures with High Ge Fraction\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e櫻庭 政夫(東北大学),伊東良太 (東北大学),瀬尾 高広(東北大学),室田 淳一(東北大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eMasao Sakuraba(Tohoku University),Ryota Ito(Tohoku University),Takahiro Seo(Tohoku University),Junichi Murota(Tohoku University)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e共鳴トンネルダイオード|SiGe|Si|歪ヘテロ構造|エピタキシャル成長|負性抵抗|resonant tunneling diode|SiGe|Si|strained heterostructure|epitaxial growth|negative differential conductance\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e623 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 9","offer_id":46362059899119,"sku":"IEEJ-EFM08034-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_b9d06cfe-d052-4bba-ba77-88ca1b63e708.png?v=1743618069","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-efm08034","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}