{"product_id":"ieej-efm08035","title":"GaN 表面の電気化学酸化とデバイス表面制御への応用","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEFM08035\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2008\/11\/07\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eElectrochemical oxidation of GaN for surface control of GaN-based devices\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e塩崎 奈々子(北海道大学),原田 脩央(北海道大学),橋詰 保(北海道大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eNanako Shiozaki(Hokkaido University),Naohisa Harada(Hokkaido University),Tamotsu Hashizume(Hokkaido University)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eGaN|AlGaN|高電子移動度トランジスタ(HEMT)|酸化|電気化学プロセス|表面制御|GaN|AlGaN|high electron mobility transistor (HEMT)|oxidation|electrochemical process|surface control\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(英語): \u003c\/strong\u003eThe electrochemical oxidation process using a glycol solution has been applied to .n-GaN surface. An X-ray photoelectronspectroscopy analysis showed the formation of amorphous Ga2O3 on the GaN surface. The oxide layer is easily etched in alkalisolutions. \u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e446 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 6","offer_id":46362060128495,"sku":"IEEJ-EFM08035-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_9501838b-45bf-4789-a50e-1d9f7f07cbc8.png?v=1743618075","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-efm08035","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}