{"product_id":"ieej-efm08036","title":"高耐圧GaN-HEMTにおけるバッファ層構造と電気的特性の相関","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEFM08036\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2008\/11\/07\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eRelation between Buffer Layer Structure and Electrical Characteristics in High-Voltage GaN-HEMTs\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e齋藤 渉(東芝),野田 隆夫(東芝),蔵口 雅彦(東芝),高田 賢治(東芝),津田 邦男(東芝),齋藤 泰伸(東芝),大村一郎 (東芝),山口 正一(東芝)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eWataru Saito(Toshiba),Takao Noda(Toshiba),Masahiko Kuraguchi(Toshiba),Yoshiharu Takada(Toshiba),Kunio Tsuda(Toshiba),Yasunobu Saito(Toshiba),Ichiro Omura(Toshiba),Masakazu Yamaguchi(Toshiba)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eGaN-HEMT|高耐圧|パワー半導体デバイス|GaN-HEMT|High-Voltage|Power Semiconductor Device\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e２種類のバッファ層構造を用いて高耐圧GaN-HEMTを試作し、バッファ層構造による高電圧印加時のリーク電流と電流コラプスによるオン抵抗増加の変化を調べた。AlN\/n-GaN\/AlN構造を用いると、AlN\/n-GaNへテロ構造のポテンシャルバリアとn-GaN層が空乏化されないことで、リーク電流を低減することができる。更に、刃状転位密度が低減することで、電流コラプスによるオン抵抗増加を抑制することができる。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(英語): \u003c\/strong\u003eHigh-voltage (\u0026gt;400 V) GaN-HEMTs were fabricated using two types of heterostructures with different buffer layer structures. The buffer layer structure affected the crystal defect density in grown AlGaN\/GaN heterostructure. The static on-resistance under l\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e474 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 7","offer_id":46362105413871,"sku":"IEEJ-EFM08036-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_eb884741-1444-47d4-aa80-620d0ee35424.png?v=1743620145","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-efm08036","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}