{"product_id":"ieej-efm08037","title":"VT-VSUB特性を用いたp-GaN上のAlGaN\/GaN HFETバッファ層評価","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEFM08037\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2008\/11\/07\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eBuffer layercharacterization by VT-VSUB characteristics of of AlGaN\/GaN HFET with p-type GaN substrate\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e胡成余(徳島大学),中谷 克俊(徳島大学),敖金平(徳島大学),大野 泰夫(徳島大学),菊田 大悟(豊田中研),杉本 雅裕(トヨタ自動車)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eCheng-Yu Hu|Katsutoshi Nakatani|Jin-Ping Ao|Yasuo Ohno|Daigo Kikuta|Masahiro Sugimoto\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eVT-VSUB|トラプ|HFET|p-GaN基板|基板バイアス|活性化エネルギー|VT-VSUB|trap|HFET|p-GaN substrate|substrate bias|activation energy\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(英語): \u003c\/strong\u003eIn this work, we fabricated p-sub AlGaN\/GaN HFETs with AlGaN\/GaN heterostructure regrown on p-GaN epi-layer. Severe outdiffusion of Mg dopants was found with SIMS measurement, which caused p-type doping in the buffer layer (i-GaN). Utilizing VT-VSUB analy\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e484 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 7","offer_id":46362060161263,"sku":"IEEJ-EFM08037-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_525124c6-0bc9-4bfe-b634-06472361cc91.png?v=1743618079","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-efm08037","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}