{"product_id":"ieej-efm08038","title":"AlGaN\/GaN HFETのゲートエッジ負帯電による電流コラプスの2次元数値解析","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEFM08038\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2008\/11\/07\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eTwo-dimensional Numerical Analysis of Current Collapse by Gate Edge Negative Electrification of AlGaN\/GaN HFET\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e井川 裕介(徳島大学),湯浅 頼英(徳島大学),胡成余 (徳島大学),敖金平 (徳島大学),大野 泰夫(徳島大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eYusuke Ikawa(Tokushima University),Yorihide Yuasa(Tokushima University),Cheng-Yu Hu(Tokushima University),Jin-Ping Ao(Tokushima University),Yasuo Ohno(Tokushima University)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eHFET|電流コラプス|負帯電|仮想ゲート|界面準位|HFET|current collapse|negative electrification|virtual gate|interface state\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e界面準位によるAlGaN\/GaN HFETの電流コラプス現象について2次元デバイスシミュレータを用いて解析した。表面に負電荷が注入されると、ゲートのホールフェルミ準位に界面準位をピンニングするためホールの蓄積が起こる。このため、真性ゲートと表面電位が一定である仮想ゲートとの２つのFETの直列接続が形成される。これにより、Id-Vd特性は、二段階飽和特性を示す。キャリア分布の特徴から、一段目の飽和は仮想ゲートFET部のピンチオフで起こり、二段目の飽和は真性ゲートFET部分のピンチオフで起こることを示した。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(英語): \u003c\/strong\u003eCurrent collapse in AlGaN\/GaN HFET caused by interface states is investigated using 2-dimensional device simulator. When negative charges are injected the surface region, holes are accumulate at the region so as to pin the interface states at the gate hol\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e396 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 7","offer_id":46362103611631,"sku":"IEEJ-EFM08038-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_9a1ce67e-852c-43ba-a805-85d826d9668b.png?v=1743619978","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-efm08038","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}