{"product_id":"ieej-efm08040","title":"ノーマリオフ型GaN系RESURF-MOSFETにおける1500 V\/2 A動作","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEFM08040\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2008\/11\/07\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003e1500 V\/2 A operation Normally-off GaN RESURF-MOSFETs\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e新山 勇樹(古河電工),神林 宏(古河電工),大友 晋哉(古河電工),池田 成明(古河電工),野村 剛彦(古河電工),加藤禎宏 (古河電工)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eYuki Niiyama(Furukawa),Hiroshi Kambayashi(Furukawa),Shinya Ootomo(Furukawa),Nariaki Ikeda(Furukawa),Takehiko Nomura(Furukawa),Sadahiro Kato(Furukawa)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eパワーデバイス|ノーマリオフ動作|GaN|RESURF-MOSFET|高耐圧|大電流|power devices|normally-off operation|GaN|RESURF-MOSFET|high breakdown voltage|large current\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003eGaNはSiやSiCに比べて高い絶縁破壊電界，高い飽和ドリフト速度を有していることから，高耐圧・大電流を扱うパワートランジスタの材料として有望である。パワートランジスタは，フェールセーフの面から，ノーマリオフ型が望ましい。そのため，ノーマリオフ動作するMOSFET構造の研究が進んでいる。しかしながら，GaN系MOSFETのデバイス動作の報告はあるものの，同一素子において，数百ボルト以上の高耐圧を報告した例はない。本研究では，GaN系MOSFETの高耐圧化のために，ゲートとドレインの間に，N-型のRESUR\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(英語): \u003c\/strong\u003eGaN is a good candidate for power transistors because of its high critical electric field and high saturation velocity compared with Si and SiC. Power transistor has been required for normally-off operation in terms of fail safe. Therefore, several resear\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e420 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 6","offer_id":46362103775471,"sku":"IEEJ-EFM08040-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_a3f24a02-4445-49b5-a2c4-48b4bbc02db0.png?v=1743620000","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-efm08040","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}