{"product_id":"ieej-efm09022","title":"SICパワーデバイスの技術及び特徴に関する主な研究結果について","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEFM09022\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子･情報･システム部門　電子材料研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2009\/10\/29\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eSome key researches on SiC device technologies and their predicted advantages\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003eゴーラブマジュムダール (三菱電機),大森 達夫(三菱電機)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eGourab Majumdar(Mitsubishi Electric Corporation),Tatsuo Oomori(Mitsubishi Electric Corporation)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eSiC|MOSFET|SBD|パワーデバイス|SiC|MOSFET|SBD|Power Device\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e968 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 8","offer_id":46362274824431,"sku":"IEEJ-EFM09022-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_23afc947-60bc-4b1e-9db4-8adba95e4c5a.png?v=1743623808","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-efm09022","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}