{"product_id":"ieej-efm09034","title":"シリコンカーバイド基板上シリコンMOSFETの製作と放熱効果の実証","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEFM09034\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子･情報･システム部門　電子材料研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2009\/10\/30\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eReduction of self-heating effect in Si MOSFETs on directly bonded Si-on-SiC wafer with high heat conductance\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e吉本 昌広(京都工芸繊維大学),篠原 広(京都工芸繊維大学),清水 秀雄(京都工芸繊維大学),木下 博之(京都工芸繊維大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eMasahiro Yoshimoto(Kyoto Institute of Technology),Hiroshi Shinohara(Kyoto Institute of Technology),Hideo Shimizu(Kyoto Institute of Technology),Hiroyuki Kinoshita(Kyoto Institute of Technology)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eシリコンカーバイド|シリコン|MOSFET|自己発熱|高温動作|熱伝導|放熱|silicon carbide|silicon|MOSFET|self heating|high-temperature operation|thermal conductance|heat dissipation\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e954 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 8","offer_id":46362279182575,"sku":"IEEJ-EFM09034-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_2f0c760f-cce3-4a85-8222-a80025ac4f1f.png?v=1743623857","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-efm09034","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}