{"product_id":"ieej-efm09039","title":"Si基板上高出力AlGaN.GaN HFETにおけるVb.Ronの改善","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEFM09039\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子･情報･システム部門　電子材料研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2009\/10\/30\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eImprovement of Vb.Ron for high power AlGaN.GaN HFETs on Si substrates\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e池田 成明(古河電工),賀屋秀介 (古河電工),古川 拓也(古河電工),李 江(古河電工),加藤禎宏 (古河電工)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eNariaki Ikeda(The Furukawa Electric Co.,Ltd.),Syuusuke Kaya(The Furukawa Electric Co.,Ltd.),Takuya Kokawa(The Furukawa Electric Co.,Ltd.),Jiang Li(The Furukawa Electric Co.,Ltd.),Sadahiro Kato(The Furukawa Electric Co.,Ltd.)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e高出力|GaN|HFET|Si基板|Vb.Ron|High-power|GaN|HFET|Si substrates|Vb.Ron\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e578 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 7","offer_id":46362281967855,"sku":"IEEJ-EFM09039-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_c31ee369-ef44-49f3-93fc-1d323e1b966f.png?v=1743623884","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-efm09039","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}