{"product_id":"ieej-efm09040","title":"高耐圧GaN-HEMTの電流コラプス抑制に向けたフィールドプレート構造設計ポイント","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEFM09040\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子･情報･システム部門　電子材料研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2009\/10\/30\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eDesign Points of Field-Plate Structure for Suppression of Current Collapse Phenomena in High-Voltage GaN-HEMTs\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e齋藤 渉(東芝),垣内 頼人(東芝),新田 智洋(東芝),齋藤 泰伸(東芝),野田 隆夫(東芝),藤本 英俊(東芝),吉岡 啓(東芝),大野 哲也(東芝)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eWataru Saito(Toshiba Corp.),Yorito Kakiuchi(Toshiba Corp.),Tomohiro Nitta(Toshiba Corp.),Yasunobu Saito(Toshiba Corp.),Takao Noda(Toshiba Corp.),Hidetoshi Fujimoto(Toshiba Corp.),Akira Yoshioka(Toshiba Corp.),Tetsuya Ohno(Toshiba Corp.)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eGaN-HEMT|高耐圧|パワーデバイス|フィールドプレート|電流コラプス|GaN-HEMT|High-Voltage|Power Device|Field-Plate|Current Collapse Phenomena\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e497 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 7","offer_id":46362282000623,"sku":"IEEJ-EFM09040-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_f61da543-c264-42d7-863a-35911b45d890.png?v=1743623888","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-efm09040","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}