{"product_id":"ieej-gh1614","title":"パワーデバイス及びその使いこなし技術動向","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ：\u003c\/strong\u003e技術報告\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No：\u003c\/strong\u003e1614\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名：\u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日：\u003c\/strong\u003e2026\/5\/21\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語)：\u003c\/strong\u003eTrends in power devices and their application technologies\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名：\u003c\/strong\u003eパワーデバイス及びその使いこなし技術調査専門委員会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語)： \u003c\/strong\u003eInvestigating R\u0026amp;D Committee for Trends in power devices and their application technologies\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード：\u003c\/strong\u003eIGBT,パワーMOSFET,パワーIC,SiC デバイス,GaN デバイス,IGBTs, power MOSFETs, power ICs, SiC devices, GaN devices\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語)：\u003c\/strong\u003e本書は，パワーデバイス及びその使いこなし技術調査専門委員会にて，重要度を高めるパワーデバイスについて，研究・技術開発動向を把握し，今後取り組むべき課題と方向性を指し示す事に重点を置き，2023 年 4 月から 2026 年 3 月までの 3 年間の調査成果をまとめたものである。Si パワーデバイスでは，性能限界を迎えると言われる IGBT において，新たに SJ(Super Junction) 構造を有する IGBT が発表され，スイッチングの高速化により，損失が大幅に低減できることが報告された。SiC では，SJ 構造による低オン抵抗化に加え，破壊耐量向上や長期信頼性確保といった実用化課題に関する技術進展が見られた。GaN では，駆動部を含めたモノリシック技術や特性変動及び信頼性に関する多くの報告があった。実装面では，プリント基板内部にパワーデバイスを埋め込み，さらに駆動部や受動部品までを含めた電力変換装置を一体化したような部品内蔵基板技術の検討が始められている。今後はデバイス単体の単なる性能改善だけでなく，システム全体の高効率化のためにデバイスをいかに「使いこなすか」が重要になる。本報告書が読者の皆様の開発や研究における一助になれば幸いである。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(英語)：\u003c\/strong\u003eThis report summarizes the results of a three-year study conducted from 2023 to 2026 by the Investigating R\u0026amp;D Committee for trends in power devices and their application technologies.Regarding Si power devices, it has been reported that Super Junction (SJ) IGBT can significantly reduce losses through high-speed switching, even as conventional IGBTs are said to be reaching their performance limits. In the field of SiC, technological progress was observed in practical issues such as achieving lower on-resistance through SJ structures, improving ruggedness, and ensuring long-term reliability. For GaN, there were numerous reports on monolithic integration including gate drivers, as well as characteristics fluctuations and reliability. In terms of packaging, studies have begun on chip embedded technology, which embeds power devices within printed circuit boards and integrates power conversion components, including drivers and passive parts. Moving forward,it is crucial not only to improve the performance of individual devices but also to focus on how to\"master\" these devices to enhance the efficiency of the entire system. We hope this report will be of\nassistance to the readers in their own research and development.\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ：\u003c\/strong\u003e20,068Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-P01","offers":[{"title":"冊子印刷（一般価格4,620円\/会員価格3,234円） \/ A4 \/ 77","offer_id":49517314769135,"sku":"IEEJ-GH1614-PRT","price":4620.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true},{"title":"PDFダウンロード（一般価格6,930円\/会員価格4,851円） \/ A4 \/ 77","offer_id":49517314801903,"sku":"IEEJ-GH1614-PDF","price":6930.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-GH1614_b3ce837a-03af-4841-b948-10513f9864f3.jpg?v=1778650639","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-gh1614","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}