{"product_id":"ieej-lav06001","title":"低k1リソグラフィ技術","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eLAV06001\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【A】基礎・材料・共通部門　光応用・視覚研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2006\/03\/03\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eLow k1 Lithography\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e笠間 邦彦(NECエレクトロニクス株式会社)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eKunihiko Kasama(NEC Electronics Corporation)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e低k1リソグラフィ|光近接効果|光近接効果補正|マスクエラー･エンハンスメント･ファクタ|ラインエッジ･ラフネス|ライン幅･ラフネス|超解像手法|製造最適化デバイス設計\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e1,613 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 8","offer_id":46393561350383,"sku":"IEEJ-LAV06001-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_70157c0c-dc06-4ed6-8881-b6055573fd7c.png?v=1744696878","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-lav06001","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}