{"product_id":"ieej-lav10002","title":"IV-VI族半導体赤外線レーザ","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eLAV10002\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【A】基礎・材料・共通部門 光応用・視覚研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2010\/01\/27\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eIV-VI semiconductor infrared lasers\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e石田 明広(静岡大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eIshida Akihiro( Shizuoka University)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003eIV-VI族ナローギャップ半導体は、中赤外線センサーやレーザへの応用があり、半導体研究の早い時期からその研究が行なわれてきた。本講演では、 IV-VI族半導体レーザの研究を振り返り、III-V族半導体レーザや量子カスケードレーザと比較しながら、その利点と問題点について述べるとともに、最近の面発光レーザの研究についても述べる。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e2,811 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 4","offer_id":46393842925807,"sku":"IEEJ-LAV10002-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_c6e1d2a5-5eb1-4240-b223-36004b01f72d.png?v=1744710260","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-lav10002","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}