{"product_id":"ieej-mag05013","title":"強磁性半導体GaMnAsを用いたGaMnAs\/AlAs\/InGaAs\/AlAs\/GaMnAs二重障壁構造におけるトンネル磁気抵抗効果","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eMAG05013\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【A】基礎・材料・共通部門　マグネティックス研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2005\/03\/11\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eTunneling Magnetoresistance of GaMnAs\/AlAs\/InGaAs\/AlAs\/GaMnAs Double-Barrier Magnetic-Tunnel Junctions\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e大矢 忍(東京大学),Pham Nam Hai (東京大学),田中 雅明(東京大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eShinobu Ohya(The University of Tokyo),Pham Nam Hai (The University of Tokyo),Masaaki Tanaka(The University of Tokyo)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e分子線エピタキシー|強磁性半導体|共鳴トンネルダイオード|強磁性トンネル接合|トンネル磁気抵抗効果\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e1,120 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 9","offer_id":46367969575151,"sku":"IEEJ-MAG05013-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_1feca572-1321-416a-9cf4-a2844204be52.png?v=1743821314","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-mag05013","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}