{"product_id":"ieej-mag13173","title":"傾斜磁区を有した不連続GMI素子の今後の展開","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eMAG13173\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【A】基礎・材料・共通部門 マグネティックス研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2013\/12\/20\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eFuture study of stepped GMI element \u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e中居 倫夫(宮城県産業技術総合センター)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eNakai Tomoo(Industrial Technology Institute,Miyagi Prefectural Government)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e磁気インピーダンス素子|薄膜磁性体|アモルファス|磁区|不連続変化|記憶型センサ\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e不連続GMI素子で新たに見出した，垂直磁場の印加で発現する現象を報告するとともに，材料組成や磁歪の影響，磁区転移の動的メカニズムなど今後の研究につながる実験データを報告する。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e1,022 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 8","offer_id":46385029218543,"sku":"IEEJ-MAG13173-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_741363a3-ca55-4a66-8d93-d5d5c04200e6.png?v=1744332861","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-mag13173","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}