{"product_id":"ieej-mag14120","title":"ガスフロースパッタ法によるFe4NのGaAs上へのエピタキシャル成長","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eMAG14120\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【A】基礎・材料・共通部門 マグネティックス研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2014\/08\/04\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eEpitaxial Growth of Fe4N on GaAs by Gas Flow Sputtering \u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e佐久間 洋志(宇都宮大学),鈴木 涼(宇都宮大学),石井 清(宇都宮大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eSakuma Hiroshi(Utsunomiya University),Suzuki Ryo(Utsunomiya University),Ishii Kiyoshi(Utsunomiya University)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eガスフロースパッタ法|Ｆｅ４Ｎ|エピタキシャル成長|Gas flow sputtering|Fe4N|Epitaxial growth\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003eガスフロースパッタ法により，GaAs上にFeを堆積させたところ，環境中の窒素を取り込んでFe4Nがエピタキシャル成長した．\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(英語): \u003c\/strong\u003eWe found that Fe4N is epitaxially grown on GaAs by gas flow sputtering.\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e1,251 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 4","offer_id":46385061921007,"sku":"IEEJ-MAG14120-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_739950da-349f-4cee-97d9-8622f1c45bdc.png?v=1744334122","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-mag14120","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}