{"product_id":"ieej-oqd05036","title":"TunGaAsN系半導体と温度安定波長半導体レーザ","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eOQD05036\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門　光・量子デバイス研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2005\/12\/02\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eTIInGaAsN semiconductors and temperature-stable wavelength semiconductor laser diodes\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e朝日 一(大阪大学産業科学研究所研),藤原 淳志(大阪大学産業科学研究所研),松本 武(大阪大学産業科学研究所研),長谷川 繁彦(大阪大学産業科学研究所研)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eHajime Asahi(Osaka University,ISIR),Atsushi Fujiwara(Osaka University,ISIR),Takeshi Matsumoto(Osaka University,ISIR),Shigehiko Hasegawa(Osaka University,ISIR)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eTIInGaAsN|半導体レーザ|温度安定波長|屈折率|バンドギャップェネルギー|MBE|WDM\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e548 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 6","offer_id":46393501516015,"sku":"IEEJ-OQD05036-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_718f118c-4f4c-496c-9901-ce824ba98cc7.png?v=1744693335","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-oqd05036","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}