{"product_id":"ieej-oqd06037","title":"GaN基板上へのクラックフリー成長層を用いた高出力青紫色半導体レーザ","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eOQD06037\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門　光・量子デバイス研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2006\/12\/08\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eHigh power violet laser diodes with crack-free layers grown on GaN substrates\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e伊藤茂稔 (シャープ),神川 剛(シャープ),上田吉裕 (シャープ),高谷邦啓 (シャープ),山崎幸生 (シャープ),湯浅 貴之(シャープ),種谷 元隆(シャープ)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eShigetoshi Ito(Sharp Corporation),Takeshi Kamikawa(Sharp Corporation),Yoshihito Ueta(Sharp Corporation),Kunihiro Takatani(Sharp Corporation),Yukio Yamasaki(Sharp Corporation),Takayuki Yuasa(Sharp Corporation),Mototaka Taneya(Sharp Corporation)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e半導体レーザ|青紫色レーザ|窒化物半導体|光ディスクシステム|GaN基板|溝|クラック|寿命\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e733 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 6","offer_id":46393560957167,"sku":"IEEJ-OQD06037-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_44793d55-377b-4c57-afb3-2403894e023e.png?v=1744696839","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-oqd06037","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}