{"product_id":"ieej-ppt16077","title":"ループ型誘導熱プラズマを用いたSi基板の一様2次元酸化に対する圧力の影響","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003ePPT16077\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【A】基礎・材料・共通部門 パルスパワー研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2016\/10\/21\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eEffect of Pressure on Uniform Two-Dimensional Oxidation of Si Substrate using Loop Type of Inductively Coupled Thermal Plasmas\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e土谷 拓光(金沢大学),丸山 裕司(金沢大学),シュアン ティアル マイ カイ(金沢大学),田中 康規(金沢大学),上杉 喜彦(金沢大学),石島 達夫(金沢大学),幸本 徹哉(シー・ヴィ・リサーチ),川浦 廣(シー・ヴィ・リサーチ)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eTakumi Tsuchiya(Kanazawa University),Yuji Maruyama(Kanazawa University),Mai Kai Suan Tail(Kanazawa University),Yasunori Tanaka(Kanazawa University),Yoshihiko Uesugi(Kanazawa University),Tatsuo Ishijima(Kanazawa University),Tetsuya Yukimoto(CV Research Corporation),Hiroshi Kawaura(CV Research Corporation)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e誘導熱プラズマ|ループ型|一様性|高速酸化|大面積処理|基板スライド|Inductively Coupled Thermal Plasma|Loop Type|Uniformity|Rapid Oxidation|Large Area Processing|Substrate Slide System\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e本論文では，ループ型Ar\/O2誘導熱プラズマ(ICTP)を用いた2インチSi基板の2次元酸化試験の結果を報告する。ループ型ICTP装置は，熱プラズマによる大面積プロセスを目指し，筆者らが独自開発したものである。ループ型ICTPの一部を基板上に生成・維持した状態で基板を掃引させることで，基板全体に熱プラズマを照射できる。今回，圧力が酸化膜の一様性に与える影響を調査した。その結果，圧力を上げることで一様性が向上することが確認できた。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(英語): \u003c\/strong\u003eThis paper describes experimental results on 2D rapid surface oxidation for 2-inch Si substrates using a loop type of inductively coupled thermal plasma (loop-ICTP) torch.  The loop-ICTP torch has originally been developed for large-area materials processing.  Results indicated that increasing pressure raises the uniformity of 2D oxidation of the Si substrate surface using Ar\/O2 loop-ICTP. \u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e2,545 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 6","offer_id":46359771283695,"sku":"IEEJ-PPT16077-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_a35039f8-0a00-40cc-a818-68861c267191.png?v=1743495342","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-ppt16077","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}