{"product_id":"ieej-spc06133","title":"IGBTとMOSFETのシリコン限界特性とその実現に向けた考察","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eSPC06133\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【D】産業応用部門　半導体電力変換研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2006\/10\/24\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eEvolution of Silicon Power Devices and Challenges to Material Limit [14]\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e中川 明夫(東芝セミコンダクター社)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eAkio Nakagawa()\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eIGBT|MOSFET|MCM|DrMOS|負荷短絡|シリコン限界|FOM|新しいFOM|IGBT|MOSFET|CoolMOS|DrMOS|Short-circuit SOA|Silicon limit|FOM|New FOM\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e750 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 10","offer_id":46368101564655,"sku":"IEEJ-SPC06133-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_532cb766-e578-4c8c-8cde-dadaa4944508.png?v=1743825541","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-spc06133","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}