{"product_id":"ieej-spc07101","title":"600V Semi SJ-MOSFETのnバッファ層最適設計","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eSPC07101\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【D】産業応用部門　半導体電力変換研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2007\/10\/25\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eDesign concept of n-buffer layer (n-Bottom Assist Layer) for 600V-class Semi-Super Junction MOSFET\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e小野 昇太郎(東芝セミコンダクター社),齋藤 渉(東芝セミコンダクター社),高下 正勝(東芝セミコンダクター社),来島 正一郎(東芝セミコンダクター社),都鹿野健一 (東芝セミコンダクター社),山口 正一(東芝セミコンダクター社)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eSyotaro Ono(Toshiba Corporation),Wataru Saito(Toshiba Corporation),Masakatsu Takashita(Toshiba Corporation),Shoichiro Kurushima(Toshiba Corporation),Ken'ichi Tokano(Toshiba Corporation),Masakazu Yamaguchi(Toshiba Corporation)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eパワーMOSFET|スーパージャンクション|低オン抵抗|Power-MOSFET|Superjunction|Low on-resistance\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e537 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 7","offer_id":46368196853999,"sku":"IEEJ-SPC07101-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_6215d385-34ad-49ba-ab79-9178677fcf52.png?v=1743827901","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-spc07101","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}