{"product_id":"ieej-spc07103","title":"超低オン抵抗サブミクロンセルピッチ30V NチャネルUMOSFET","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eSPC07103\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【D】産業応用部門　半導体電力変換研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2007\/10\/25\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eSub-micron Cell Pitch 30V N-channel UMOSFET with Ultra Low On-resistance\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e小林 研也(NECエレクトロニクス),金子 敦司(NECエレクトロニクス),村瀬 義光(NECエレクトロニクス),山本 英雄(NECエレクトロニクス)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eKenya Kobayashi(NEC Electronics Corporation),Atsushi Kaneko(NEC Electronics Corporation),Yoshimitsu Murase(NEC Electronics Corporation),Hideo Yamamoto(NEC Electronics Corporation)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eパワーMOSFET|低耐圧|低オン抵抗|長方形セル|Power MOSFET|Low voltage|Low on-resistance|Rectangular cell\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e1,232 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 9","offer_id":46368196919535,"sku":"IEEJ-SPC07103-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_369c6808-4cc9-4a25-9a1a-1f6989e43582.png?v=1743827907","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-spc07103","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}