{"product_id":"ieej-spc07107","title":"100kHz動作対応L-IGBTの構造開発","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eSPC07107\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【D】産業応用部門　半導体電力変換研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2007\/10\/25\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eConfiguration of JI-LIGBT for Over 100 kHz Switching\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e寺島 知秀(三菱電機),平田 大介(三菱電機)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eTomohide Terashima(Mitsubishi Electric Corporation),Daisuke Hirata(Mitsubishi Electric Corporation)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e横型IGBT|受動PMOS|ウェハ薄厚化|インテリジェントパワーデバイス|フライバックコンバーター|L-IGBT|Passive PMOS|Wafer thinning|Intelligent Power Device|fly back converter\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e906 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 8","offer_id":46368197542127,"sku":"IEEJ-SPC07107-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_2226de50-bc38-405c-bcb7-ed869c773bb7.png?v=1743827931","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-spc07107","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}