{"product_id":"ieej-spc08136","title":"IGBT動作とバイポーラトランジスタ動作の基本的な違い-ここ12年のIGBT動作モデルの進歩-","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eSPC08136\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【D】産業応用部門　半導体電力変換研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2008\/10\/23\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eFundamental Difference between IGBT Operation and Bipolar Junction Transistor Operation\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e高田 育紀(三菱電機)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eIkunori Takata(Mitsubishi Electric Corporation)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eIGBT|動作モデル|pinダイオード|接合形バイポーラトランジスタ|ゲート転流サイリスタ|IGBT|operating model|pin diode|Bipolar Junction Transistor|Gate Commutated Thyristor\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003eまず、著者が1996年に行ったIGBTのレビューの後12年間のバイポーラ電力用デバイスの進化を概説す。続いて、バイポーラトランジスタ, GCTやIGBT等の高電圧大電流動作の限界に関する今までの文献を詳細に比較することで、IGBT動作がpnpトランジスタ動作から著しくかけ離れ、むしろpinダイオード動作に似ていることを示す。例えば、IGBTのn-層は、古典的バイポーラトランジスタに求められるものよりも遥かに長い。また、バイポーラトランジスタでは一つのキャリアがベース領域を拡散で動くのに対し、IGBTはpi\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(英語): \u003c\/strong\u003e(Sending via e-mail)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e971 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 8","offer_id":46372908040431,"sku":"IEEJ-SPC08136-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_74610158-46df-47bb-94fa-6134e1077cfa.png?v=1744005290","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-spc08136","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}