{"product_id":"ieej-spc08157","title":"4インチSi基板上高出力AlGaN\/GaN HFETの開発","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eSPC08157\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【D】産業応用部門　半導体電力変換研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2008\/10\/24\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eHigh-power AlGaN\/GaN HFET on 4-inch Si substrates\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e池田 成明(古河電工),賀屋秀介 (古河電工),李 江(古河電工),古川 拓也(古河電工),佐藤 義浩(古河電工),加藤禎宏 (古河電工)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eNariaki Ikeda(Yokohama R\u0026amp;D Laboratories,The Furukawa Electric Co.,Ltd.),Syuusuke Kaya(Yokohama R\u0026amp;D Laboratories,The Furukawa Electric Co.,Ltd.),Jiang Li(Yokohama R\u0026amp;D Laboratories,The Furukawa Electric Co.,Ltd.),Takuya Kokawa(Yokohama R\u0026amp;D Laboratories,The Furukawa Electric Co.,Ltd.),Yoshihiro Sato(Yokohama R\u0026amp;D Laboratories,The Furukawa Electric Co.,Ltd.),Sadahiro Kato(Yokohama R\u0026amp;D Laboratories,The Furukawa Electric Co.,Ltd.)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e高出力|GaN|HFET|Si基板|電流コラプス|High-power|GaN|HFET|Si substrates|current collapse\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e4インチSi基板上に形成したAlGaN\/GaN系　HFETにおいて、高耐圧大電流特性を得た。高耐圧化のために、トータル膜厚を6ミクロン以上にしたｴﾋﾟを用いた。結果として、最大電流値で１２０A 以上、破壊電圧1.8kV以上を得た。さらに、電流コラプスについても基板およびデバイス構造の異なったものについて評価した結果、オン抵抗の上昇として1.0kVまで顕著な上昇がない良好な特性を得た。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(英語): \u003c\/strong\u003eIn this paper, we successfully demonstrate an AlGaN HFET with a high breakdown voltage of over 1.8 kV on 4-inch Si substrates. In order to obtain the high breakdown voltage, a thick GaN epitaxial layer including a buffer layer with a total thickness of ov\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e654 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 7","offer_id":46372909383919,"sku":"IEEJ-SPC08157-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_f8827d55-3e41-41ae-80fe-3744283f4cfc.png?v=1744005366","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-spc08157","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}